中國 DRAM 大廠長鑫科技於 2026 年 7 月 27 日正式登陸上海證券交易所科創板。公司發行價為每股人民幣 8.66 元，上市首日開盤報 49.50 元，盤中最高升至 55.03 元，最終收於 49 元，較發行價上漲 465.8%，收盤總市值約人民幣 3.28 兆元，一度成為 A 股市值最高的上市公司。
長鑫科技上市首日全天成交額達人民幣 1,411.87 億元，成為 A 股首檔單日成交額突破千億元的個股。大量交易一度造成部分券商系統卡頓，反映市場對中國記憶體自主化、AI 記憶體需求及半導體設備國產化抱持高度期待。
不過長鑫上市初期可自由交易的股份約占發行後總股本 6.73%，有限的流通籌碼放大了股價波動與流動性溢價。相較於首日漲幅，這次 IPO 更重要的產業意義，在於長鑫取得大規模公開市場資金後，中國 DRAM 產業將從量產突破進一步邁向產能擴張、技術升級與供應鏈本土化同步推進的新階段。
579 億元募資刷新科創板紀錄，長鑫取得擴產新資金
長鑫科技此次募資總額約為人民幣 579.19 億元，超越中芯國際，刷新科創板 IPO 募資紀錄。若超額配售選擇權全額行使，募資規模最高可增至約人民幣 666.07 億元。
| 項目 |
上市及發行數據 |
| 上市日期 |
2026 年 7 月 27 日 |
| 股票代號 |
688825 |
| 發行價 |
人民幣 8.66 元 |
| 收盤價 |
人民幣 49 元 |
| 首日收盤漲幅 |
465.8% |
| 收盤總市值 |
約人民幣 3.28 兆元 |
| 基礎募資總額 |
約人民幣 579.19 億元 |
| 全額行使超額配售後募資額 |
約人民幣 666.07 億元 |
| 無限售流通股占比 |
約 6.73% |
| 首日成交額 |
人民幣 1,411.87 億元 |
此次戰略配售投資人涵蓋全國社會保障基金、保險資金、半導體產業鏈企業、保薦機構跟投及員工資產管理計畫，股份鎖定期約為 12 至 36 個月。這些長期資金有助於穩定早期股東結構，但未來限售股陸續解禁後，流通籌碼增加仍可能促使市場重新評估公司價值。
依照招股書，長鑫科技募集資金將投入儲存器晶圓製造量產線技術升級改造、DRAM 儲存器技術升級，以及動態隨機存取儲存器前瞻技術研究與開發三項計畫。公司過去主要由合肥與安徽國資、國家積體電路產業投資基金及其他金融機構提供資金支持，登陸科創板後，公開資本市場將成為下一階段產線升級與技術研發的重要融資管道。
產能規模位居全球第四，長鑫成為中國 DRAM 自主化核心
長鑫科技成立於 2016 年，總部位於安徽合肥，主要從事動態隨機存取記憶體，也就是 DRAM 的研發、製造與銷售。市場普遍將長鑫視為中國 DRAM 產業龍頭。依照公司招股書，長鑫的產能規模位居中國第一、全球第四，仍落後於三星電子、SK 海力士與美光三家國際大廠。
DRAM 主要用來暫時存放處理器正在運算的資料，廣泛應用於智慧型手機、個人電腦、伺服器、汽車電子與工業設備。隨著 AI 模型規模與資料處理量增加，伺服器對一般 DRAM 與高頻寬記憶體的需求也同步上升。全球 DRAM 市場長期由三星、SK 海力士與美光主導，三家公司掌握先進製程、規模產能、客戶認證與長期製造經驗。長鑫建立大規模量產能力後，成為中國降低記憶體進口依賴、補足半導體產業鏈缺口的重要企業。長鑫科技與長江存儲的產品定位有所不同，長鑫主要發展 DRAM，長江存儲則聚焦 NAND Flash，兩家公司分別對應運算記憶體與長期資料儲存市場，共同構成中國記憶體自主化的核心布局。
公開市場資金接棒政策資本，產能與製程升級同步推進
DRAM 是資本支出強度最高的半導體領域之一，興建記憶體晶圓廠需要投入廠房、無塵室、微影、沉積、蝕刻、清洗、檢測與自動化設備，投產後還須經歷製程導入、良率提升及客戶認證，才能將名目產能轉化為實際出貨。長鑫持續擴充 12 吋 DRAM 晶圓產能，IPO 資金將提高公司同步推進產線升級、設備導入與產品研發的能力，使中國 DRAM 產業由早期量產突破進入規模化競爭階段。
長鑫近年的財務表現也反映產能擴張與 DRAM 景氣回升的效果，公司營收由 2023 年的人民幣 90.87 億元，增加至 2024 年的 241.78 億元，2025 年再升至 617.99 億元。同期歸屬母公司股東淨利潤分別為虧損 163.40 億元、虧損 71.45 億元及獲利 18.75 億元，並於 2025 年完成由虧轉盈。
進入 2026 年後，DRAM 價格上漲、銷量增加與產品組合改善，進一步放大公司獲利。長鑫第一季營收約為人民幣 508 億元，年增約 719%。公司預估上半年營收可達人民幣 1,100 億至 1,200 億元，歸屬母公司股東淨利潤約為 500 億至 570 億元。記憶體晶圓廠具有高固定成本特性，當售價與產能利用率上升時，獲利增幅通常高於營收增幅。若市場供過於求、產品價格轉跌，高額折舊也可能迅速壓縮毛利率。因此長鑫目前的獲利成長同時受惠於市占率提升與產業景氣上行，長期競爭力仍須經過完整景氣循環檢驗。
AI 支撐 DRAM 景氣，長鑫擴產加速設備國產化
AI 需求對長鑫的影響主要來自兩個方向。首先，AI 伺服器需要配置更多記憶體，直接增加全球 DRAM 需求。其次，三星與 SK 海力士等國際大廠將更多先進產能轉向毛利率較高的 HBM，使個人電腦、智慧型手機及一般伺服器使用的通用型 DRAM 供給受到限制。
在這種供需環境下，長鑫即使尚未在 HBM 市場取得主要市占，也能受惠於通用型 DRAM 價格與產能利用率上升。不過隨著長鑫及其他業者持續擴產，中長期供給增加仍可能使記憶體市場重新面臨價格壓力。長鑫擴產也將增加沉積、蝕刻、清洗、量測及檢測設備需求。在美國限制部分先進半導體設備出口中國的情況下，中國晶圓廠提高本土設備採用比例的動機進一步增強，北方華創、中微公司與盛美上海等中國設備業者可望獲得更多量產線驗證機會。
半導體設備必須在實際產線中證明製程穩定性、缺陷控制、產能效率與維護能力。若本土設備能在長鑫產線通過認證，後續便可能導入其他中國晶圓廠，擴大國產設備滲透率。不過，國際設備商在微影、量測及部分先進製程環節仍具有技術優勢，設備國產化仍將是一個逐步推進的過程。
EUV 與先進封裝仍受限，高階 HBM 量產尚待驗證
長鑫雖然已具備大規模 DRAM 生產能力，但與三星、SK 海力士及美光相比，在先進製程、產品效能、良率與高階客戶認證方面仍有差距。其中一項關鍵限制是極紫外光微影設備。國際記憶體大廠已逐步將 EUV 導入先進 DRAM 製程，但中國廠商受到出口管制影響，必須使用深紫外光微影搭配多重圖案化及其他製程調整。DUV 多重圖案化仍能推動製程微縮，但曝光、沉積與蝕刻步驟增加後，製造成本與製程複雜度也會提高，並可能影響良率與產能效率。
市場消息將 HBM3 與 HBM3E 列為長鑫後續可能推進的技術方向，但公司招股文件尚未揭露明確量產時程。HBM 除了需要先進 DRAM 製程，還涉及晶粒堆疊、先進封裝、散熱管理及與 AI 晶片客戶共同驗證。研發、送樣、客戶認證與穩定量產屬於不同階段，實際進展仍須觀察產品出貨與營收貢獻。
首日高估值仍待基本面驗證，市場焦點轉向產能與良率
長鑫科技上市後的估值分歧十分明顯，樂觀機構著重中國國產替代、市占率提升、AI 記憶體需求及未來 HBM 潛力，傾向以成長型半導體企業評價長鑫。保守觀點則認為，DRAM 仍具有高度週期性，缺乏 EUV 設備也可能限制先進製程進度。
隨著交易熱度下降及限售股逐步解禁，公司的產能、產品良率、現金流與實際獲利能力將成為更重要的定價依據。未來首先要觀察新增晶圓廠能否按計畫投產並提高良率，其次是 DDR5 與先進製程的成本競爭力，以及 HBM 能否通過客戶認證並形成穩定出貨。
巨額募資可以加快建廠、設備採購與技術研發，但製程經驗、良率管理及客戶認證仍需要時間累積。長鑫能否進一步改變全球 DRAM 市場，最終將取決於新增產能的實際效率、先進產品量產進度，以及公司在下一輪記憶體景氣下行時的財務韌性。