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韓國公布 9,500 億美元 AI 半導體合作，記憶體供應加速長約化

韓國政府於 2026 年 7 月 24 日舉行的舊金山 AI 峰會上，公布韓國企業與全球科技公司之間總規模達 9,500 億美元的半導體合作。SK 集團將與輝達等企業建立五年期先進記憶體供應合作，三星電子則與博通擴大記憶體、AI 晶片代工及先進封裝布局。隨著 HBM、伺服器 DRAM 與先進封裝成為 AI 基礎設施擴張的重要限制，大型科技公司正提前鎖定未來數年的產能，記憶體採購也加速轉向多年度長期供應協議。 9,500 億美元由 SK 與三星兩項五年合作組成 根據韓國政府公布的口徑，SK 集團將與輝達等全球科技企業展開未來五年、總規模約 7,500 億美元的先進記憶體長期供應合作。三星電子與博通則簽署五年期合作備忘錄，預估合作規模超過 2,000 億美元，兩者合計構成 9,500 億美元的半導體合作。 合作項目 規模與期間 主要內容 SK 集團與全球科技企業 約 7,500 億美元、五年 先進記憶體長期供應，其中 SK 與輝達合作規模超過 5,000 億美元 三星電子與博通 超過 2,000 億美元、五年 HBM 等先進記憶體、AI 晶片代工與先進封裝 SK 與輝達超過 5,000 億美元的合作涵蓋下一代記憶體與 AI 資料中心。SK 海力士將共同開發包括 HBM 在內的記憶體方案，SK Telecom 則規劃建置最高 2GW 的 AI 資料中心，採用輝達 Vera Rubin 平台與 SK 海力士 HBM4，首座設施預計於 2027 年投入營運。 三星與博通的合作涵蓋 HBM、2 奈米以下晶圓代工，以及 2.3D、2.5D 先進封裝，反映 AI 晶片客戶正提高對記憶體、邏輯晶片與封裝整合的需求。SK 採取記憶體與資料中心整合模式，三星則以記憶體、晶圓代工與封裝的一站式能力爭取客戶。峰會另公布總容量約 5GW 的 AI 資料中心合作，其運算規模以 NVIDIA B200 為基準換算，約相當於 200 萬張 GPU。該項目不計入 9,500 億美元半導體合作。 此外，韓國科學技術資訊通信部也於 7 月 23 日在舊金山與 AMD 簽署合作備忘錄，雙方將共同建置並驗證結合 AMD CPU、GPU 與韓國國產神經網路處理器（NPU）的 AI 運算基礎設施。這項合作顯示，韓國正同步推動國產 NPU 與全球 CPU、GPU 平台整合，擴大 AI 運算生態系布局。 9,500 億美元不能直接等同立即投資或確定營收 9,500 億美元涵蓋記憶體供應、晶圓代工、先進封裝及共同開發安排，不會在協議簽署後立即全數成為三星電子或 SK 海力士的營收。其中 SK 與輝達超過 5,000 億美元的合作同時涉及記憶體與 AI 資料中心，三星與博通的 2,000 億美元則屬於合作備忘錄，實際金額仍取決於採購量、產品價格、客戶驗證與量產進度。因此，9,500 億美元較適合視為提高未來需求能見度的五年期合作框架。 AI 平台開發週期拉長，HBM 供應限制推動長約化 傳統記憶體採購高度受到季度合約價、現貨價格與庫存循環影響，但 AI 資料中心的採購週期更長。GPU 與客製化 AI 加速器通常需要數年完成設計與驗證，HBM 也須配合運算晶片進行共同開發、封裝整合與量產認證。大型科技公司因此開始提前協商未來數代產品的規格與供應量。多家美國雲端服務供應商已與記憶體原廠簽署多年度長期供應協議（Long-Term Agreement，LTA）。大型客戶可藉由採購承諾鎖定產能與相對穩定的價格，原廠也能據此安排製程轉換、設備投資與產品研發。未簽署長約或臨時追加採購的客戶，則可能面臨更高報價與較長交期。 HBM 採用較大的晶粒、更多堆疊層數及複雜封裝流程，每單位位元消耗的晶圓產能高於一般 DRAM。當供應商提高 HBM 產能配置，伺服器 RDIMM、PC DRAM 與行動記憶體可取得的晶圓資源也會受到壓縮。新一代 AI 平台又持續提高單顆加速器的記憶體容量，使整體位元供給難以快速追上需求。根據 TrendForce 最新研究，2026 年第三季伺服器 DRAM 合約價預估將季增 13%～18%，2027 年 RDIMM 位元供給則僅年增約 15%～20%，增幅可能落後伺服器 CPU 出貨成長。伺服器 DRAM 合約價可能持續逐季上漲至 2027 年下半年，但漲幅將逐步收斂。 供應商正透過擴大資本支出回應 AI 與高階記憶體需求。SK 海力士的 DRAM 資本支出近年明顯增加，顯示業者正提高對記憶體產能與製程升級的投入。不過，從資本支出增加到形成實際位元供給，仍須經過設備進駐、製程轉換、產品驗證及良率提升，因此短期內難以完全解除 HBM 與伺服器 DRAM 的供應壓力。 Read More at Datatrack DRAM 與 NAND Flash 供需可能在 2027 年下半年分化 長約對不同記憶體產品的影響並不完全相同，最新 NAND Flash 研究顯示，2026 年 NAND Flash 供需位元差距約為負 4%～5%，市場仍處於供不應求。但隨製程升級增加位元產出、新產能陸續開出，加上智慧手機與筆電需求偏弱，NAND Flash 供需差距可能於 2027 年下半年轉為正值。相較之下，HBM 與伺服器 DRAM 受到晶圓及先進封裝產能限制，供應壓力可能延續更久，長期供應協議對其價格與供給的支撐也更明顯。 長約提高供應能見度，執行仍取決於需求與基礎設施 長期供應協議有助於原廠安排產能與投資，但也可能加深客戶與產能集中風險。當更多先進產能預先分配給少數大型 AI 客戶，中小型伺服器廠與消費電子業者取得供應的難度可能上升。若 AI 資本支出低於預期，採購數量、價格與交貨時程也可能重新協商。 合作能否落實，仍取決於 HBM4、2 奈米以下製程與先進封裝的客戶驗證及量產良率，以及資料中心所需的電力、土地、冷卻、網路與融資能否同步到位。韓國此次合作顯示，全球記憶體產業的競爭重心正轉向多年度產能與技術合作。未來除了現貨價與季度合約價，也需要觀察 HBM 產能分配、LTA 覆蓋率、AI 客戶資本支出及新增供給進度。