美國擬將晶片設備管制延伸至維修，美日荷設備商重估中國曝險

美國對中國半導體產業的限制，正由先進晶片與新設備出口，進一步延伸至設備維修、零組件供應與盟國管制協調。2026 年 4 月，美國國會跨黨派議員提出《硬體技術管制多邊接軌法》（Multilateral Alignment of Technology Controls on Hardware Act，MATCH Act），希望縮小美國、荷蘭與日本出口制度之間的差距，限制中國取得尚未具備穩定國產能力的關鍵晶圓製造設備。

截至 2026 年 7 月 22 日，MATCH 法案仍處於立法程序，尚未成為正式禁令。眾議院外交事務委員會已於 4 月 22 日推進 H.R. 8170，使其具備進入眾議院全院審議的資格。參議院也已提出對應版本 S. 4281，目前仍交由委員會審議。兩案均未完成全院表決，實際管制清單、生效時間與盟國配合方式仍可能調整。

MATCH 法案要求美日荷管制標準進一步對齊

現行半導體設備管制由各國分別執行。美國已限制部分先進邏輯、DRAM 與 NAND 製程設備輸往中國，也對特定中國企業與晶圓廠實施更嚴格的出口許可。荷蘭禁止 ASML 向中國出口極紫外光（Extreme Ultraviolet，EUV）設備，部分較先進的浸潤式深紫外光（Deep Ultraviolet，DUV）設備也須取得許可。日本則自 2023 年 7 月起，將微影、蝕刻、沉積、清洗與檢測等 23 類先進半導體製造設備納入出口許可管理。日本規則形式上適用所有出口地區，並非只針對中國，但其設備清單與許可制度仍是美國推動盟國管制對齊的重要基礎。

SEAJ 於 2026 年 7 月公布的最新預測顯示，2026 年度日本製半導體製造設備銷售額預估年增 26% 至 6.55 兆日圓，2027 年度再增 13% 至 7.40 兆日圓。AI 伺服器所需的先進邏輯晶片，以及 HBM 與 DRAM 擴產，仍是支撐日本設備業需求的主要力量。

三國的設備清單、終端使用者認定與維修限制並不完全相同，美國設備商受到的約束通常較嚴格。中國企業因此仍可能向限制較寬鬆的外國供應商採購設備，或將設備配置於未被直接列管的成熟製程廠區。MATCH 法案要求美國優先與荷蘭、日本等設備供應國協商，推動盟國採取具有相同實際效果的規則。若法案成為法律且協商未果，美國政府將被要求利用《出口管理條例》、受美國管轄的關鍵零組件或其他方式，擴大對相關外國製設備、終端用途與維修活動的限制。

法案最初版本曾規劃對浸潤式 DUV 與低溫蝕刻設備採取更廣泛限制，引發設備業者反彈。後續修正版移除低溫蝕刻設備的全中國禁令，但仍保留對浸潤式 DUV、特定中國晶圓廠及其關聯企業的管制方向。

管制焦點由新設備延伸至既有機台運作

半導體設備需要長期的原廠支援。微影、蝕刻與沉積設備在安裝後，仍須定期校準、更換耗材、更新軟體、維修零組件及接受工程師技術服務。設備即使已進入中國，若後續無法取得原廠維護，長期運作效率、良率與產能利用率仍可能受到影響。
因此，維修限制可能比單純禁止新設備出口更具持續性。中國晶圓廠可以提前增加備品庫存或尋求第三方維修，但高階設備涉及精密零組件、專有軟體及製程參數，第三方服務難以完整取代原廠支援。MATCH 法案若正式落地，出口管制將從設備交付階段延伸至整個使用週期。

企業層級的管制也可能縮小內部調度空間。過去若限制集中於特定廠區，企業仍可能透過未被列管的成熟製程工廠採購設備，再於集團內部調整使用。新架構將同時檢視晶圓廠、持有者與關聯企業，使中芯國際、長鑫存儲、長江存儲、華虹集團與華為等企業面臨更廣泛的設備與服務限制。

ASML 中國營收約占兩成，DUV 與服務業務成為主要風險

ASML 是新一輪政策中曝險最明確的企業。中國占 ASML 2025 年全年營收約 33%，公司在 2026 年第二季仍預估，中國市場約占全年總淨銷售額 20%，新增需求主要來自中國本土邏輯晶片業務。

ASML 2026 年第二季營收達 93.26 億歐元，淨利為 29.18 億歐元，其中設備維修與現場升級相關的已安裝設備管理業務營收達 27.62 億歐元。這顯示政策風險不只影響新機銷售，也可能波及維修、升級與零組件收入。

浸潤式 DUV 是目前最受關注的設備，中國早已無法取得 EUV，但仍能採購部分 DUV 系統，用於成熟製程，以及部分先進邏輯、DRAM 與 NAND 製程。若管制擴大至所有浸潤式 DUV，中國晶圓廠的設備取得範圍將進一步縮小，ASML 的新機與服務收入也會承壓。

不過，中國營收占比不能直接等同於潛在損失。最終影響仍取決於設備型號、客戶名單、荷蘭政府的許可政策及既有機台是否能繼續獲得服務。ASML 同時受惠於全球 AI 投資，已上調 2026 年營收預測至 430 億至 450 億歐元。台灣、南韓與美國的先進邏輯及記憶體擴產，可為中國業務下滑提供一定緩衝。

東京威力科創中國曝險較高，風險轉向特定客戶與維修收入

東京威力科創（Tokyo Electron，TEL）在蝕刻、薄膜沉積、塗佈顯影與熱處理設備領域具有重要地位。中國占 TEL 截至 2026 年 3 月會計年度營收 34.1%，高於 ASML 對 2026 年中國營收占比約 20% 的預估，顯示 TEL 對中國設備投資變化更為敏感。

最初版本曾規劃全面限制低溫蝕刻設備輸往中國，東京威力科創因擁有相關產品線而被視為主要受影響者。修正版移除這項廣泛禁令後，風險轉向中芯國際、長鑫存儲與長江存儲等特定客戶，以及受控廠區的維修與技術支援。

東京威力科創的服務收入同樣不可忽視，公司截至 2026 年 3 月的會計年度，現場解決方案業務營收達 6,260 億日圓，年增 16.3%，內容涵蓋零組件、維護與設備改造。若維修活動須逐案取得許可，影響將逐步由新設備訂單延伸至既有裝機收入。

日本尼康（Nikon）也是浸潤式 DUV 設備供應商。雖然市場規模低於 ASML，但若最終規範依照設備性能判定，尼康相關產品也可能被納入。

美國設備商可望縮小競爭落差，但中國市場仍將收縮

應用材料（Applied Materials）、科林研發（Lam Research）與科磊（KLA）等美國設備商早已受到美國出口規則限制，對部分中國先進晶圓廠的設備銷售與技術支援均受到約束。這些企業長期主張，荷蘭與日本業者面臨的限制較寬鬆，使中國客戶可能轉向非美國供應商。

若盟國規則提高至相近水準，美國設備商在中國市場的相對競爭劣勢可能縮小，但關鍵設施名單擴大及維修許可增加，仍會壓縮其設備與服務收入。美國設備商獲得的主要利益將是競爭條件趨於一致，而非中國業務重新成長。

荷蘭政府已對美國擴大域外管轄表達疑慮。荷蘭雖支持限制敏感半導體技術，但傾向由本國與歐盟自行決定出口許可範圍。日本是否願意採用與美國相同的中國企業名單、設備標準及維修限制，也將影響法案的實際效果。

中國晶圓廠將先面臨擴產放緩與維護成本上升

中國晶圓廠的短期壓力將集中在設備取得、產線擴充與既有設備維持。邏輯晶片、DRAM 與 NAND 生產需要微影、蝕刻、沉積、清洗與檢測設備相互配合，單一設備受限未必會使既有產線立即停擺，但可能延長擴產時程、提高設備調度難度並限制製程升級。
維修與零組件限制則會增加存量設備的營運風險。中國業者可能加快國產設備導入，但設備替代仍須經過可靠性、良率與量產驗證，無法僅靠交付機台立即完成。短期較可能出現的結果，是擴產速度放緩、生產成本增加，以及晶圓廠提高零組件與備品庫存。

長期來看，外部限制將促使中國加大對國產微影、蝕刻、沉積與檢測設備的投資，但不同設備類別的國產化程度差異很大。即使部分設備已能進入產線，整體製程仍需要多種設備、材料與軟體協同運作，國產替代不會同步完成。

美日荷協調結果將決定管制實際強度

後續首先要觀察 MATCH 法案能否通過眾議院與參議院，以及最終條文是否保留浸潤式 DUV、關聯企業與維修許可等核心內容。若法案未能單獨通過，部分條款仍可能被納入國防授權法案或其他大型立法方案。

第二項關鍵是美國與荷蘭、日本能否形成共同標準。若盟國自行建立具有相同效果的規則，美國可降低直接擴張域外管轄的爭議。若協商失敗，美國可能利用美國原產技術、零組件與出口管理規則，增加外國設備商的合規壓力。

新一輪設備管制的影響，將由新機能否出貨，逐步延伸至既有設備能否維修、升級與持續運轉。ASML 與東京威力科創仍可受惠於全球 AI 資本支出，但其中國訂單、服務收入與法規成本將面臨重新評估。對中國晶圓廠而言，壓力也將由先進製程設備短缺，擴大至成熟製程擴產與存量產能維持。